Pad:OKDatasheet > Semiconductor Notitie > IR Datasheet > IRFBE30
IRFBE30 spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A
Pad:OKDatasheet > Semiconductor Notitie > IR Datasheet > IRFBE30
IRFBE30 spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A
Fabrikant : IR
Verpakking :
Pins : 3
Temperatuur : Min -55 °C | Max 150 °C
Grootte : 183 KB
Toepassing : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A