P123 spec: 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P123 Soortgelijke

P123
- 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P123 Datasheet en spec

Fabrikant : Polyfet RF

Verpakking : SO-8

Pins : 8

Temperatuur : Min -65 °C | Max 150 °C

Grootte : 41 KB

Toepassing : 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor