MTD3055EL Soortgelijke

  • MTD3055EL
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055EL1
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055VL
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3302
    • HDTMOS single N-channel field effect transistor

MTD3055EL Datasheet en spec

Fabrikant : Motorola 

Verpakking : 369A-10 

Pins : 3 

Temperatuur : Min -65 °C | Max 150 °C

Grootte : 417 KB

Toepassing : N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V 

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