MTD3055V Soortgelijke

  • MTD3055EL
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055EL1
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055VL
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3302
    • HDTMOS single N-channel field effect transistor

MTD3055V Datasheet en spec

Fabrikant : Motorola 

Verpakking : DPAK 

Pins : 4 

Temperatuur : Min -55 °C | Max 175 °C

Grootte : 226 KB

Toepassing : TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount 

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